Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (1)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Kholod A$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 2
Представлено документи з 1 до 2
1.

Kholod A. 
Social and Communication Technologies of Propagandism of the Links among Europe, Germany and Ukraine in Press of the Reichcommissariat "Ukraine" (in the period from 1 September 1941 to 17 July 1942) [Електронний ресурс] / A. Kholod // Current issues of mass communication. - 2015. - Issue 18. - С. 33-43. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/apmk_2015_18_5
Попередній перегляд:   Завантажити - 446.245 Kb    Зміст випуску     Цитування
2.

Oksanich A. P. 
Effect of Porous GaAs Layer Morphology on Pd/porous GaAs Schottky Contact [Електронний ресурс] / A. P. Oksanich, S. E. Pritchin, M. G. Kogdas, A. G. Kholod, I. V. Shevchenko // Journal of nano- and electronic physics. - 2019. - Vol. 11, no. 5. - С. 05007-1-05007-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2019_11_5_9
Досліджено структури GaAs:Sn і GaAs:Si, на яких формувався поруватий шар. Поруватий шар одержували шляхом електрохімічного анодування в HF:C2H5OH = 1:1 за часу анодування 3 хв і варіації струмів анодування в діапазоні 20 - 80 мА. До поруватого шару створювався контакт Шотгкі AgPd за допомогою методу електронно-променевого напилення, омічні контакти AgGePd до n<^>+-GaAs:Sn створювалися за допомогою методу електронно-променевого напилення з наступним відпалом. Показано, що збільшення щільності струму анодування призводить до підвищення нерівномірності структури поруватого шару, і за щільності струму більше 60 мА/см<^>2 спостерігається утворення кластерів, викликане фрагментарним відшаруванням поруватого шару від підкладки. Аналіз спектрів показав, що інтенсивність ФЛ збільшується з ростом поруватості. Показано, що даний ефект викликаний тим, що зі збільшенням пористості шару зменшується середній розмір мікропор і зменшується кількість GaAs, що залишився в шарі. Для визначення впливу морфології поруватого шару на параметри контакту Шотткі досліджено вольтамнерні характеристики структур. Показано, що зі збільшенням поруватості шару відмінність в характеристиках між структурою без поруватого шару GaAs та структур з поруватим шаром GaAs зростає, що проявляється у зниженні прямого струму і збільшенні зворотного, що пояснюється зменшенням товщини поруватого шару, і, як наслідок, зниженням щільності носіїв заряду. Визначено висоту бар'єру Шотткі для Pd/норуватий GaAs з різною морфологією і встановлено збільшення висоти бар'єру від 0,65 до 0,73 еВ зі збільшенням товщини поруватого шару. Встановлено, що збільшення товщини поруватого шару призводить до збільшення фактора ідеальності, який з ростом висоти шару збільшується від 1,24 до 1,7 і, як наслідок, призводить до погіршення параметрів контакту Шотткі.
Попередній перегляд:   Завантажити - 526.135 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського